4月10日下午，中科院半导体研究所与物理学院2012级黄昆班交流会在中心校区顺利举行。

4月10日下午，中科院半导体研究所与物理学院2012级黄昆班交流会在中心校区顺利举行。半导体研究所所长助理杨富华教授、研究生部主任祝素娜、招生办老师徐金威，物理学院罗毅教授，党委副书记吴天柱参加了本次会议。

本次交流会旨在做以“第三代半导体材料（碳化硅）”为主要研究对象的报告，以及向同学们介绍建班合作的诸项事宜。在罗老师的开场白后，杨教授正式为同学们展开本次专题报告。他以当前社会产业发展的节能减排需求，引出了第三代半导体技术的介绍，其高效节能、小型化、轻量化和低成本的特点更符合现代工业的发展方向。杨教授还将第三代半导体技术与前两代进行对比，让同学们更为清楚的了解了碳化硅相对于硅的各项优势。“一个产业既要有上游开发，也要有下游市场才能发展下去。”而半导体照明器件、GaN器件和SiC电力电子器件正是开发与应用的接合点，已经成为相关产业的突破口。杨教授还说：“我国在第一、二代半导体技术上与国外已经有较大差距，而发展第三代半导体技术是我们赶超国外技术的一个突破口。”在报告结束后，他还热情解答了同学们的提问。

祝老师则向黄昆班的同学们发出了“秋令营”的邀请，欢迎大家到半导体所参观学习，并表示与黄昆班合作的各项政策也会逐步落实。

黄昆班，即微电子英才班，是中科院半导体研究所与山东大学物理学院合作所建班级，以中科院院士、前半导体研究所所长黄昆先生的名字命名，是以培养微电子专业人才为目标的特色班级。